中文參數如下:
波長:940 nm
槽寬:8 mm
感應方式:Transmissive, Slotted
上升時間:4 us
功率耗散:150 mW
包裝形式:Tube
輸出設備:Phototransistor
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 100 C
最大集電極電流:20 mA
正向電流:50 mA
下降時間:4 us
集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V
光圈寬度:0.5 mm
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是QVE00034_Q的詳細信息,包括QVE00034_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!