中文參數如下：

類型：Chip
上升時間：12 us, 14 us
最小工作溫度：- 40 C
最大工作溫度：+ 100 C
下降時間：12 us, 14 us
集電極—發射極最大電壓 VCEO：70 V
封裝形式：T-1 3/4
最大暗電流：200 nA
最大功率耗散：200 mW
制造商：Osram Opto Semiconductor

以上是Q62702P5196的詳細信息，包括Q62702P5196廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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