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PTFA092201EV1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-36260-2
數(shù)量：
 3636  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA092201EV1-H-36260-2圖片

PTFA092201EV1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

產品類型：RF MOSFET Power
功率耗散：700 W
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Tray
封裝形式：H-36260-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：1.85 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：55 W
增益：18.5 dB
頻率：920 MHz to 960 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA092201EV1的詳細信息，包括PTFA092201EV1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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