PSMN9R1-30YL,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-100，SOT-669
數(shù)量：: 4644
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

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PSMN9R1-30YL,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：18 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8.4 nC
下降時(shí)間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：LFPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：57 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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