PSMN5R0-30YL,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-100，SOT-669
數(shù)量：: 2367
說明：: MOSFET <=30V N CH TRENCHFET

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PSMN5R0-30YL,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PSMN5R0-30YL T/R
典型關(guān)閉延遲時間：29 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時間：35 ns
功率耗散：61 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669 (LFPAK)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5 mOhms
漏極連續(xù)電流：91 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

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