三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

^{<form id="s3gye"></form>}

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PSMN1R5-25YL,115

PSMN1R5-25YL,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: LFPAK56，Power-SO8
數(shù)量：: 2061
說明：: MOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET

一、本商品被瀏覽0次.

PSMN1R5-25YL,115 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：72 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時間：97 ns
功率耗散：109 W
下降時間：36 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669 (LFPAK)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PSMN1R5-25YL,115的詳細(xì)信息，包括PSMN1R5-25YL,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：