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PMGD370XN,115

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 6-TSSOP
數(shù)量：
 3924  
說明：
 MOSFET N-CH TRENCH DL 30V
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PMGD370XN,115-6-TSSOP圖片

PMGD370XN,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PMGD370XN T/R
典型關閉延遲時間：14 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：9.5 ns
功率耗散：410 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：440 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：0.74 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PMGD370XN,115的詳細信息，包括PMGD370XN,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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