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PMDT290UCE,115

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SOT-666
數量:
 12673  
說明:
 MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET
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PMDT290UCE,115-SOT-666圖片

PMDT290UCE,115 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:4000
上升時間:4 ns, 30 ns
功率耗散:330 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:0.45 nC, 0.76 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.6 S
下降時間:31 ns, 72 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-666
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.29 Ohms, 0.67 Ohms
漏極連續電流:800 mA, - 550 mA
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V, - 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PMDT290UCE,115的詳細信息,包括PMDT290UCE,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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