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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):134W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4657 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):74.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 180μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):0.7 毫歐 @ 50A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):331A(Tc)
漏源電壓(Vdss):40 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi
以上是NVMFWS0D7N04XMT1G的詳細信息,包括NVMFWS0D7N04XMT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!