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NVD5807NT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 7263
說明：: MOSFET POWER MOSFET

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NVD5807NT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時間：20.4 ns
功率耗散：33 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：12.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8.1 S
下降時間：2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：20 mOhms
漏極連續(xù)電流：23 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NVD5807NT4G的詳細(xì)信息，包括NVD5807NT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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