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NVB6411ANT4G

廠家：: onsemi
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 2196
說明：: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3

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NVB6411ANT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：217W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3700 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：100 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 72A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：77A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

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