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NTJD4105CT1

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 SOT-363-6
數量：
 1890  
說明：
 MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A
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NTJD4105CT1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：786 nS, 50 nS
工廠包裝數量：3000
上升時間：227 nS, 23 nS
功率耗散：270 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.3 nC, 2.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：2 S, 2 S
下降時間：506 nS, 36 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.29 Ohms at 4.5 V, 0.22 Ohms at - 4.5 V
漏極連續電流：630 mA, - 775 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V, - 8 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTJD4105CT1的詳細信息，包括NTJD4105CT1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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