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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:9.6 ns, 14.9 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:12.6 ns, 5.4 ns
功率耗散:1.13 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:3.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :3.8 S
下降時(shí)間:12.6 ns, 5.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:ChipFET-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.2 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTHD4502NT1G的詳細(xì)信息,包括NTHD4502NT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!