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NTD6415AN-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-PAK
數(shù)量：: 3060
說明：: MOSFET NFET IPAK 100V 22A 55MOHM

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NTD6415AN-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：30 ns
上升時間：37 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：29 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：13 S
下降時間：37 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：55 mOhms
漏極連續(xù)電流：23 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD6415AN-1G的詳細信息，包括NTD6415AN-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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