NTD4910N-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: I-Pak
數(shù)量：: 2664
說(shuō)明：: MOSFET NFET DPAK 30V 37A 9.0MO

一、本商品被瀏覽0次.

NTD4910N-35G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

功率耗散：2.6 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK Trimmed Leads
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：13 mOhms
漏極連續(xù)電流：37 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4910N-35G的詳細(xì)信息，包括NTD4910N-35G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：