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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:32 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:22 ns
功率耗散:80 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :20 S
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0061 Ohms
漏極連續電流:85 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:28 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTB85N03的詳細信息,包括NTB85N03廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!