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NSVBC858BLT1G

廠(chǎng)家:
  ON Semiconductor
封裝:
 SOT-23-3(TO-236)
數(shù)量:
 2982  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR PNP 30V
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NSVBC858BLT1G-SOT-23-3(TO-236)圖片

NSVBC858BLT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:300 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V
電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):650mV @ 5mA,100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):30 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100 mA
晶體管類(lèi)型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

以上是NSVBC858BLT1G的詳細(xì)信息,包括NSVBC858BLT1G廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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