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NGTB25N120LWG

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 TO-247-3
數量：
 279  
說明：
 IGBT 晶體管 1200/25A IGBT LPT TO-247
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NGTB25N120LWG-TO-247-3圖片

NGTB25N120LWG PDF參數資料

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中文參數如下：

安裝風格：Through Hole
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
功率耗散：77 W
柵極—射極漏泄電流：100 nA
在25 C的連續集電極電流：50 A
柵極/發射極最大電壓：20 V
集電極—射極飽和電壓：2.3 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGTB25N120LWG的詳細信息，包括NGTB25N120LWG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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