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中文參數如下:
工廠包裝數量:800
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
最大工作溫度:+ 175 C
功率耗散:150 W
柵極—射極漏泄電流:350 uA
在25 C的連續集電極電流:20 A
柵極/發射極最大電壓:15 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:440 V
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:ON Semiconductor
以上是NGB8202NT4G的詳細信息,包括NGB8202NT4G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!