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NE552R479A

廠家：
  CEL
封裝：
 79A
數(shù)量：
 3672  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管
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NE552R479A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：100 mW
安裝風格：SMD/SMT
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：0.4 S
封裝形式：79A
最大工作溫度：+ 125 C
閘/源擊穿電壓：2 V
漏極連續(xù)電流：230 mA
汲極/源極擊穿電壓：18 V
輸出功率：26 dBm
增益：11 dB
頻率：2.45 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：否
制造商：CEL

以上是NE552R479A的詳細信息，包括NE552R479A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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