三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NE4210S01-T1B-A

NE4210S01-T1B-A

廠家：: NEC/CEL
封裝：: SO-1
數量：: 3438
說明：: MOSFET Super Lo Noise HJFET

一、本商品被瀏覽0次.

NE4210S01-T1B-A PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：4000
功率耗散：165 mW
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：0.055 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-1
安裝風格：SMD/SMT
漏極連續電流：10 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
汲極/源極擊穿電壓：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE4210S01-T1B-A的詳細信息，包括NE4210S01-T1B-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：