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NDS9952A_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 2439
說明：: MOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE

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NDS9952A_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：21 ns, 21 ns
上升時間：13 ns, 21 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：5 ns, 8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.06 Ohms
漏極連續電流：3.7 A, - 2.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS9952A_Q的詳細信息，包括NDS9952A_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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