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NDS8958_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 2286  
說明:
 MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
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NDS8958_Q-SOIC-8 Narrow圖片

NDS8958_Q PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:29 ns, 40 ns
上升時間:13 ns, 20 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns, 19 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.035 Ohms
漏極連續電流:5.3 A, - 4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDS8958_Q的詳細信息,包括NDS8958_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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