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MTB2P50ET4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 729
說明：: MOSFET PFET 500V 2A 6O

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MTB2P50ET4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：14 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2.9 S
下降時間：19 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6 Ohms
漏極連續(xù)電流：2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 500 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MTB2P50ET4G的詳細信息，包括MTB2P50ET4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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