三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

<rp id="woa1h"></rp>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: PW-MINI
數量：: 5394
說明：: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

一、本商品被瀏覽0次.

MT3S113P(TE12L,F) PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：TO-243AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
功率 - 最大值：1.6W
增益：10.5dB
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：1.45dB @ 1GHz
頻率 - 躍遷：7.7GHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：5.3V
晶體管類型：NPN
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是MT3S113P(TE12L,F)的詳細信息，包括MT3S113P(TE12L,F)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：