MMBT5551LT3G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：: 14559
說明：: 兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN

一、本商品被瀏覽0次.

MMBT5551LT3G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：225 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 10mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：160 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：600 mA
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是MMBT5551LT3G的詳細(xì)信息，包括MMBT5551LT3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：