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中文參數如下:
最小工作溫度:- 55 C
增益帶寬產品fT:1 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min:750
集電極連續電流:4 A
封裝形式:TO-126
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:40 W
最大集電極截止電流:100 uA
集電極—基極電壓 VCBO:60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
制造商:Central Semiconductor
以上是MJE801的詳細信息,包括MJE801廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!