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中文參數如下：
工廠包裝數量：80
直流集電極/Base Gain hfe Min：1000
包裝形式：Sleeve
封裝形式：TO-3
安裝風格：Through Hole
功率耗散：200 W
最大直流電集電極電流：30 A
集電極—基極電壓 VCBO：90 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：90 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：過渡期間
產品種類：達林頓晶體管
制造商：Central Semiconductor
以上是MJ11013的詳細信息，包括MJ11013廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
