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中文參數(shù)如下：
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）2.5V @ 15V, 600A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）600A
電流 - 集電極截止（最大）1mA
Vce 時的輸入電容 (Cies)125nF @ 10V
功率 - 最大2770W
輸入標(biāo)準(zhǔn)型
配置半橋
NTC 熱敏電阻無
安裝類型底座安裝
配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT

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