LN100LA-G

廠家：: Microchip Technology
封裝：: 6-LFGA（3x3）
數(shù)量：: 8739
說(shuō)明：: MOSFET 2N-CH 1200V

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LN100LA-G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：6-VFLGA
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
工作溫度：-25°C ~ 125°C（TJ）
功率 - 最大值：350mW
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 10μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3000 歐姆 @ 2mA，2.8V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：-
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-溝道（級(jí)聯(lián)）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Microchip Technology

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