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KSP10TA_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-92
數(shù)量：
 7236  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSP10TA_Q-TO-92圖片

KSP10TA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
封裝形式：TO-92
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60
增益帶寬產(chǎn)品fT：650 MHz
集電極—射極飽和電壓：30 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSP10TA_Q的詳細信息，包括KSP10TA_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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