中文參數如下:
最大功率耗散:40000 mW
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:15
增益帶寬產品fT:18 MHz
最大直流電集電極電流:3 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:500 V
集電極—基極電壓 VCBO:800 V
晶體管極性:NPN
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是KSC5020R的詳細信息,包括KSC5020R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!