KSB1017RTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220F
數量：: 3672
說明：: 兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02

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KSB1017RTU PDF參數資料

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中文參數如下：

包裝形式：Rail
最大功率耗散：25000 mW
封裝形式：TO-220F
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
增益帶寬產品fT：9 MHz
最大直流電集電極電流：4 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：- 80 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 80 V
晶體管極性：PNP
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSB1017RTU的詳細信息，包括KSB1017RTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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