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JANTX1N5811US

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 2769
說明：: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF

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JANTX1N5811US PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：B，SQ-MELF
封裝/外殼：SQ-MELF，B
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：60pF @ 10V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5 μA @ 150 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：30 ns
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：875 mV @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io)：3A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：150 V
技術(shù)：標準
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Military, MIL-PRF-19500/477
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

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