IXTK600N04T2

廠家：: Ixys
封裝：: TO-264（IXTK）
數(shù)量：: 7371
說(shuō)明：: 功率驅(qū)動(dòng)器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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IXTK600N04T2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

商標(biāo)名：TrenchT2 GigaMOS
輸出電壓：40 V
輸出電流：600 A
輸出端數(shù)量：1
激勵(lì)器數(shù)量：Single
最小工作溫度：- 55 C
最大開啟延遲時(shí)間：40 ns
最大關(guān)閉延遲時(shí)間：90 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-264
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
最大功率耗散：1250 W
電源電流：200 A
下降時(shí)間：250 ns
上升時(shí)間：20 ns
類型：TrenchT2 GigaMOS
產(chǎn)品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
制造商：IXYS

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