IXTA1N100P-TRL

廠家：: IXYS
封裝：: TO-263（D2Pak）
數(shù)量：: 8991
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263

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IXTA1N100P-TRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：331 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：15.5 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：15 歐姆 @ 500mA，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Polar
系列：卷帶（TR）
品牌：IXYS

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