ISP650P06NMXTSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數量：: 8838
說明：: MOSFET P-CH 60V 3.7A SOT223-4

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ISP650P06NMXTSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），4.2W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：39 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.037mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 3.7A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3.7A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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