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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐 @ 1.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.3A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 170pF @ 25V
功率 - 最大1.7W
安裝類型表面貼裝
以上是IRLMS5703TR的詳細信息,包括IRLMS5703TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!