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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫歐 @ 12A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs44nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C24A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1460pF @ 15V
功率 - 最大75W
安裝類型通孔
以上是IRL5602L的詳細信息,包括IRL5602L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!