
點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):294W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):10820 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):324 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.6 毫歐 @ 100A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):195A(Tc)
漏源電壓(Vdss):40 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):最后售賣
包裝:HEXFET?, StrongIRFET?
系列:管件
品牌:Infineon Technologies
以上是IRFSL7434PBF的詳細(xì)信息,包括IRFSL7434PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!