IRF6641TR1PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等容 MZ
數量：: 2988
說明：: MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg

一、本商品被瀏覽0次.

IRF6641TR1PBF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
上升時間：11 ns
功率耗散：89 W
柵極電荷 Qg：34 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：13 S
下降時間：6.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MZ
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：51 mOhms
漏極連續電流：4.6 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF6641TR1PBF的詳細信息，包括IRF6641TR1PBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：