IRF630NSPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 846
說明：: MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC

一、本商品被瀏覽0次.

IRF630NSPBF PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：27 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時(shí)間：14 ns
功率耗散：82 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23.3 nC
下降時(shí)間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：9.5 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF630NSPBF的詳細(xì)信息，包括IRF630NSPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：