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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫歐 @ 5.1A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs21nC @ 5V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C5.1A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1230pF @ 15V
功率 - 最大2.2W
安裝類型表面貼裝
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