IQE065N10NM5CGSCATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-WHTFN-9-1
數(shù)量：: 5445
說明：: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

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IQE065N10NM5CGSCATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3000 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：43 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 48μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.5 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Ta），85A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS? 5
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

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