IPZ65R019C7XKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO247-4
數量：: 6309
說明：: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

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IPZ65R019C7XKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：446W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9900 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：215 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.92mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：19 毫歐 @ 58.3A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：75A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：CoolMOS? C7
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

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