三浦惠理子jux240久久 - 他在车里撞了我八次主角是谁

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > IPU06N03LBG

IPU06N03LBG

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-251
數量：: 8586
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

一、本商品被瀏覽0次.

IPU06N03LBG PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：28 ns
上升時間：7 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.1 m Ohms
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPU06N03LBG的詳細信息，包括IPU06N03LBG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：