IPP80N06S207

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 4914
說明：: MOSFET MOSFET

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IPP80N06S207 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：28 ns
上升時間：35 ns
功率耗散：210 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：31 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.6 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

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