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IPI90R800C3

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO262-3
數量：
 5328  
說明：
 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
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IPI90R800C3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫歐 @ 4.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：900V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：6.9A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 460µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：42nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1100pF @ 100V
功率 - 最大：104W
安裝類型：通孔

以上是IPI90R800C3的詳細信息，包括IPI90R800C3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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