IPI029N06N

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 909
說(shuō)明：: MOSFET 60V TO-262

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IPI029N06N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：30 ns
上升時(shí)間：15 ns
功率耗散：136 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：56 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：160 S / 80 S
下降時(shí)間：8 ns
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.9 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

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