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IPG20N06S2L65AAUMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-10
數(shù)量：: 2583
說明：: MOSFET

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IPG20N06S2L65AAUMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-PowerVDFN
安裝類型：表面貼裝，可潤濕側(cè)翼
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：43W（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：410pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：65 毫歐 @ 15A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：55V
FET 功能：邏輯電平門
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：最后售賣
包裝：OptiMOS?
系列：散裝
品牌：Infineon Technologies

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